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阴离子掺杂对KDP晶体光散射的影响 张建芹1,孙洵1,王圣来1,房昌水1,顾庆天1 (1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100) 摘要:选用硫酸钾,硝酸钾和氯化钾作为掺杂剂,采用传统降温法和"点籽晶"快速法生长了磷酸二氢钾(KDP)晶体,利用超显微法对KDP晶体中的散射颗粒进行了观察,研究了SO2-4,NO-3和Cl-三种阴离子掺杂对晶体中光散射的影响.结果表明,掺杂后SO2-4造成晶体光散射的轻度增加;而NO-3和Cl-离子掺杂后,对于传统降温法所得晶体,散射明显加重,对于"点籽晶"快速法所得晶体的散射影响不大. 关键词:掺杂剂; KDP晶体; 超显微法; 光散射; ......
CNT-WO3元件的氨敏性能研究 董晓雯1,潘庆谊1,陈海华1,李玲1,程知萱1 (1.上海大学理学院化学系,上海,200436) 摘要:以碳纳米管(CNT)为掺杂剂制成CNT-WO3旁热式气敏元件.采用混酸氧化法对碳纳米管进行纯化,化学沉淀法制备了纳米WO3微粉,并用TEM,FT-IR,TG-DSC,XRD等方法进行了表征.测试了元件在室温条件下对NH3的气敏性能.结果表明,碳纳米管掺杂元件在室温下对NH3的灵敏度远远高于纯WO3元件,其中0.8wt%的掺杂元件对NH3具有最高的灵敏度.另外,掺杂元件还具有检测浓度低,检测范围宽,选择性好等优点,是一种较为理想的氨敏元件. 关键词:碳......
脉冲激光轰击法连续制备金掺杂的YBCO杂化材料研究 章文贡1,林珊2 (1.福建师范大学化学与材料学院高分子研究所,福州,350007;2.福建农林大学材料工程学院,福州,350001) 摘要:采用聚焦脉冲激光轰击浸于流动YBCO前体氧化物水溶胶中的金靶,连续制备了金掺杂的YBCO前体氧化物水溶胶,进而煅烧获得金掺杂的YBCO杂化材料.TEM和XRD结果表明金掺杂使YBCO杂化材料粒径和晶化程度变小,能谱扫描测得金掺杂前后YBCO杂化材料中的Y,Ba和Cu相对含量未发现明显偏差,但金只在其中个别区域探测到,表明在煅烧过程中金发生了团聚. 关键词:YBCO; 金; 掺杂; 激光; 溶胶-......
聚合物前驱体法制备(Ce,Cu)-SnO2纳米粉体及其烧结行为 高濂1,陈德良1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050) 摘要:采用聚合物前驱体法制备了CeO2-CuO-doped SnO2纳米粉体,并研究了掺杂SnO2纳米粉体的无压烧结行为.结果表明:乙二醇,柠檬酸与金属离子的摩尔比为6:3:1时制得的掺杂SnO2粉体为分散良好的球形颗粒,大小为~15nm,粒度分布范围窄;CuO掺杂可显著提高SnO2的烧结性能,CeO2-CuO复合掺杂可进一步降低SnO2陶瓷的致密化温度;1.0%CeO2-1.5%CuO-doped SnO2可在105......
掺La3+对0.94(Na1/2Bi1/2)TiO3-0.06BaTiO3陶瓷介电行为和压电性能的影响 冯楚德1,向平华1,黎辉东1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050) 摘要:对(Bi1/2Na1/2)TiO3-BaTiO3压电陶瓷在准同型相界处的组成掺入不同量的La3+,研究掺杂对于体系结构,压电与介电性能的影响.结果表明,掺杂使得体系的弛豫铁电体特征更为明显,相变的弥散程度增大,室温下的介电常数增大;当掺杂量低于1.5%时,材料的d33值增大,但同时介电损耗也相对于基体有所增加.当掺杂量达到3%以后,陶瓷的压电性能严重降低. 关键词:钛酸铋钠; 无铅压电陶瓷; ......
双组元掺杂钛硅再结晶石墨传导性能的研究 史景利1,翟更太1,邱海鹏1,刘朗1,宋永忠1 (1.中国科学院山西煤炭化学研究所,太原,030001) 摘要:用煅烧石油焦作填料,煤沥青作粘结剂,钛粉和硅粉作添加剂,采用热压工艺制备了一系列双组元掺杂再结晶石墨.考察了不同质量配比的添加剂对再结晶石墨的热导率,电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化.实验结果表明,与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较,掺杂15wt%钛粉再结晶石墨的传导以及力学性能有较大幅度的提高.在掺杂钛粉15wt%,硅粉<2wt%时,双组元再结晶石墨的常温热导率随着硅粉的掺杂量的增加有所提高.当掺杂钛粉及硅粉分别为15wt%......
S-Co复合掺杂LiMn2O4的合成与性能 夏君磊1,欧阳世翕1,刘韩星1,赵世玺1 (1.武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070) 摘要:为了扩大锂离子电池正极材料LixMn2O4的工作电压范围,在保证良好循环性能的基础上提高材料的容量,本文对S-Co复合掺杂LiMn2O4的合成工艺和电化学性能进行了研究.溶胶-凝胶法合成的各试样均为纯的立方尖晶石相,且结晶状态良好.S-Co复合掺杂综合了S掺杂效应和Co掺杂效应,改善了LiMn2O4的电化学性能,在2.4~4.3V充放电压范围内,初始容量较高,达到170 mAh/g,30次循环后容量不但没有衰减而且有一定增加. ......
锑掺杂浓度对二氧化锡纳米微粉的影响 王俊1,张金朝1,李青山1,苑树强1,宋鹂1 (1.华东理工大学材料科学与工程学院,上海,200237) 摘要:以无机盐为原料,采用共沉淀法制得了掺锑SnO2纳米级微粉.运用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM)和差热分析(DTA)等观测手段对微粉末进行了表征,比较系统地研究了掺锑浓度对物相,粉末颗粒度及电阻的影响规律.实验结果表明,低掺杂浓度样品(x≤0.462),Sb原子固溶于四方晶系SnO2中,高掺杂浓度样品(x≥0.519),Sb原子将从固溶体中脱溶并被氧化为Sb2O4相;掺杂Sb可以减小SnO2的晶粒度,在热处理时阻碍SnO2晶粒长大,掺杂......
Y2O3-SnO2常温气敏薄膜的Sol-Gel制备及性能研究 方国家1,黄宜军3,吉向东3,姚凯伦4,刘祖黎5,王汉忠3 (1.华中科技大学物理系;2.襄樊学院物理系信息功能材料研究室;3.襄樊学院物理系信息功能材料研究室,;4.华中科技大学物理系,;5.华中科技大学) 摘要:以无机盐SnCl22H2O,Y(NO3)36H2O为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶工艺制备了Y2O3掺杂的SnO2薄膜. 采用差热--失重分析研究了Y2O3掺杂的SnO2干凝胶粉末的热分解,晶化过程. 研究了Y2O3-SnO2薄膜的电学和气敏性能. 从实验中得到了Y2O3掺杂份量对SnO2薄膜电学及气敏性能的......
硼掺杂的γ-A12O3催化膜的制备及其热稳定性的研究 陈天蛋1,陈航榕1,华子乐1,施剑林1,汪霖1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与) 摘要:在勃姆石AlOOH溶胶中引入一定量的H2BO3溶液,经不同温度的热处理,制成不同硼掺杂含量的无支撑的γ-A12O3催化膜.用XRD,BET分别对膜的晶相和膜的微孔结构,包括比表面积,孔径和孔容进行了研究,结果发现:随着硼含量的增加,在低温下,膜的比表面积和孔容都不断增加,而对孔径的影响不大;经1200℃处理后,未掺杂硼的膜的比表面积,孔径和孔容分别为5.4m2/g,49nm和0.063cm3/g,而经掺杂16%摩尔硼的膜的比表面积,孔......