退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响

胡成余¹，罗浩俊¹，姚淑德¹，秦志新¹

(1.北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院,北京,100871)

摘要:在用MOCVD方法生长的p-GaN薄膜中注入Mg离子,然后在N2气氛下在850～1150℃之间快速退火,研究了Mg+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质.结果表明,离子注入使GaN晶体沿着a轴和c轴方向同时膨胀.在离子注入后的p-GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm-1和360 cm-1两个新峰,其强度随着退火温度而变化.这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的振动模式和局域振动模式.消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的.注入剂量1×1014cm-2是一个临界值,对于注入剂量高于这个临界值的样品,高温退火不能使其晶体质量全部恢复.

关键词:无机非金属材料; p-GaN; 离子注入; 拉曼散射;

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