背接触硅太阳电池研究进展
来源期刊:材料导报2008年第9期
论文作者:孙秀菊 吴鑫 褚世君 励旭东 于建秀 任丙彦 勾宪芳
关键词:背接触; 硅太阳电池; 少子寿命; 接触电极;
摘 要:高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向.背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注.概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其结构特点、制造技术及发展概况作了系统介绍,并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向.
孙秀菊1,吴鑫1,褚世君3,励旭东4,于建秀3,任丙彦3,勾宪芳4
(1.河北工业大学材料科学与工程学院,天津300130;
2.北京市太阳能研究所,北京100083;
3.河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300130;
4.北京市太阳能研究所,北京,100083)
摘要:高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向.背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注.概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其结构特点、制造技术及发展概况作了系统介绍,并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向.
关键词:背接触; 硅太阳电池; 少子寿命; 接触电极;
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