高电导率高晶化率p型微晶硅薄膜的制备
来源期刊：材料导报2008年第4期
论文作者：卢景霄 杨仕娥 陈永生 赵尚丽 陈庆东 张丽伟
关键词：RF-PECVD; p型微晶硅薄膜; 暗电导率; 晶化率;
摘 要：利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜.为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化.Raman光谱和电导率测试结果表明:(1)在实验选取的参数范围内,衬底温度是影响薄膜暗电导率和晶化率的最主要因素,其次是氢稀释比,硼烷掺杂比的影响相对较小;(2)通过正交优化,获得了暗电导率为2.05S·cm-1、晶化率为86%的p型微晶硅薄膜.
卢景霄1，杨仕娥1，陈永生1，赵尚丽1，陈庆东1，张丽伟2
(1.郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;
2.新乡学院物理系,新乡,453000)
摘要:利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜.为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化.Raman光谱和电导率测试结果表明:(1)在实验选取的参数范围内,衬底温度是影响薄膜暗电导率和晶化率的最主要因素,其次是氢稀释比,硼烷掺杂比的影响相对较小;(2)通过正交优化,获得了暗电导率为2.05S·cm-1、晶化率为86%的p型微晶硅薄膜.
关键词:RF-PECVD; p型微晶硅薄膜; 暗电导率; 晶化率;
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