基于化学掺杂的碳纳米管二极管
来源期刊：新型炭材料2018年第5期
论文作者：宋传娟 杨俊茹 廖成浩 刘晓东 王英 贺蓉 董续盛 钟汉清 刘一剑 张丽英 陈长鑫
文章页码：476 - 480
关键词：单壁碳纳米管;p-i-n结二极管;局部化学掺杂;整流特性;
摘 要：本文制备了一种基于局部化学掺杂的单壁碳纳米管（SWCNT） p-i-n结二极管。在此器件中,单根SWCNT沟道的两端分别被掺杂成p型和n型,沟道中段保留为本征状态,从而在SWCNT中形成具有较强内建电场的p-i-n结,表现出二极管特性。所制二极管器件具有高的器件性能,其整流比可达103数量级、反向饱和电流仅为23 p A。此外,简要探讨了该结构二极管的工作原理。
宋传娟1,2，杨俊茹1，廖成浩2，刘晓东2，王英2，贺蓉2，董续盛2，钟汉清2，刘一剑2，张丽英2，陈长鑫2
1. 山东科技大学机械电子工程学院2. 上海交通大学电子信息与电气工程学院微纳电子学系薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室
摘 要：本文制备了一种基于局部化学掺杂的单壁碳纳米管（SWCNT） p-i-n结二极管。在此器件中,单根SWCNT沟道的两端分别被掺杂成p型和n型,沟道中段保留为本征状态,从而在SWCNT中形成具有较强内建电场的p-i-n结,表现出二极管特性。所制二极管器件具有高的器件性能,其整流比可达103数量级、反向饱和电流仅为23 p A。此外,简要探讨了该结构二极管的工作原理。
关键词：单壁碳纳米管;p-i-n结二极管;局部化学掺杂;整流特性;
