两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术(英文)
来源期刊：材料导报2012年第18期
论文作者：周章渝 杨发顺 杨健 王松 邓朝勇 傅兴华
文章页码：7 - 9
关键词：MgB2超导薄膜;布图布线;湿法刻蚀;
摘 要：超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤。报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧水(H2O2)刻蚀前驱体硼薄膜,然后将刻蚀的样品放入钽坩埚中在镁蒸气下高温退火,实现了对超导薄膜二硼化镁(MgB2)布图布线的刻蚀;另一种是选用氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合溶液直接在二硼化镁超导薄膜上进行图形刻蚀。通过上述两种方法刻蚀出的MgB2薄膜图形精确度高,超导转变温度Tc都在38K以上,临界电流Ic约为1×106 A/cm2。
周章渝1,2，杨发顺1,2，杨健1，王松1,2，邓朝勇1,2，傅兴华1,2
1. 贵州大学理学院2. 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
摘 要：超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤。报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧水(H2O2)刻蚀前驱体硼薄膜,然后将刻蚀的样品放入钽坩埚中在镁蒸气下高温退火,实现了对超导薄膜二硼化镁(MgB2)布图布线的刻蚀;另一种是选用氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合溶液直接在二硼化镁超导薄膜上进行图形刻蚀。通过上述两种方法刻蚀出的MgB2薄膜图形精确度高,超导转变温度Tc都在38K以上,临界电流Ic约为1×106 A/cm2。
关键词：MgB2超导薄膜;布图布线;湿法刻蚀;
