CVD SiC致密表面涂层制备及表征
来源期刊：材料工程2005年第4期
论文作者：刘荣军 周新贵 曹英斌 张长瑞 刘晓阳
关键词：化学气相沉积; SiC涂层; 制备工艺; 性能表征;
摘 要：考察了沉积温度、稀释气体流量对化学气相沉积(CVD)SiC涂层的显微结构及晶体结构的影响,分析得出:沉积温度为1100℃,稀释气体Ar流量<400mL/min时,制备的SiC涂层晶体结构完整、致密.在该制备工艺条件下沉积的SiC涂层密度为3.204 g/cm3,显微硬度为HV 4459.2,弹性模量为471GPa,涂层具有优异的光学加工性能,光学加工后表面粗糙度为0.429nm,能满足光学应用的要求.
刘荣军1，周新贵1，曹英斌1，张长瑞1，刘晓阳1
(1.国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073)
摘要:考察了沉积温度、稀释气体流量对化学气相沉积(CVD)SiC涂层的显微结构及晶体结构的影响,分析得出:沉积温度为1100℃,稀释气体Ar流量<400mL/min时,制备的SiC涂层晶体结构完整、致密.在该制备工艺条件下沉积的SiC涂层密度为3.204 g/cm3,显微硬度为HV 4459.2,弹性模量为471GPa,涂层具有优异的光学加工性能,光学加工后表面粗糙度为0.429nm,能满足光学应用的要求.
关键词:化学气相沉积; SiC涂层; 制备工艺; 性能表征;
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