Al-Cu合金脱溶相/基体界面价电子结构与界面性能

来源期刊：稀有金属材料与工程2011年第S2期

论文作者：屈华 刘伟东 王海霞

文章页码：140 - 145

关键词：Al-Cu合金;脱溶相;界面;价电子结构;EET;

摘    要：基于EET理论,研究Al-Cu合金θ″、θ′、θ与基体α相的价电子结构,计算分析了α/θ"、α/θ′、α/θ界面的价电子结构。研究结果表明:θ"相（001）晶面内外层电子密度相差较大,为2.857nm-2,（001）α//1Al’’（001）θ界面电子密度差Δρ为0.13%,使界面电子密度保持连续的原子状态组数σ为102,α/θ″界面的连续性较好;θ′相（001）晶面内外层电子密度相差较大,为11.8207nm-2,（001）α//Al’（001）θ界面Δρ为0.15%,σ为32,α/θ′界面的连续性较差;θ相（001）晶面内外层电子密度相差很大,为21.0716nm-2,（001）α//4/4Cu（001）θ界面Δρ为198.86%,σ为0,σ′为34,α/θ界面的连续性极差。依界面价电子结构可知:α/θ"界面应力较小,稳定性较好;α/θ′界面稳定性比α/θ"差,α/θ′界面应力比α/θ"界面的应力大;α/θ界面稳定性比α/θ"、α/θ′界面都差,α/θ界面应力比α/θ"、α/θ′界面应力都大。