用正电子湮没技术研究Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年第2期
论文作者：曹名洲 熊良钺 孙顺平 邓文 祝莹莹 江海峰 黄宇阳
关键词：TiAl合金; d-d电子相互作用; 缺陷; 正电子湮没技术;
摘 要：测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50l48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息.结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入Cr或Nb,合金中的d-d电子作用增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cr2合金的多普勒展宽谱的d电子信号高于Ti50Al48Nb2合金.讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响.
曹名洲1，熊良钺1，孙顺平2，邓文2，祝莹莹2，江海峰2，黄宇阳2
(1.中国科学院国际材料物理中心,辽宁沈阳,110016;
2.广西大学,广西南宁,530004;
3.河南理工大学,河南焦作,454000)
摘要:测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50l48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息.结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入Cr或Nb,合金中的d-d电子作用增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cr2合金的多普勒展宽谱的d电子信号高于Ti50Al48Nb2合金.讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响.
关键词:TiAl合金; d-d电子相互作用; 缺陷; 正电子湮没技术;
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