衬底温度对Si(111)衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响
来源期刊：无机材料学报2007年第4期
论文作者：汤洪高 刘金锋 武煜宇 徐彭寿 刘忠良
关键词：碳化硅薄膜; 硅衬底; 固源分子束外延; 衬底温度;
摘 要：利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上异质外延生长3G-SiC单晶薄膜,通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响.研究结果表明,1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性.在更高的衬底温度下生长,会导致大的孔洞形成,衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错,从而使晶体质量变差.在低衬底温度下生长,由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低.
汤洪高1，刘金锋2，武煜宇2，徐彭寿2，刘忠良2
(1.中国科学技术大学,材料系,合肥,230026;
2.中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029)
摘要:利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上异质外延生长3G-SiC单晶薄膜,通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响.研究结果表明,1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性.在更高的衬底温度下生长,会导致大的孔洞形成,衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错,从而使晶体质量变差.在低衬底温度下生长,由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低.
关键词:碳化硅薄膜; 硅衬底; 固源分子束外延; 衬底温度;
【全文内容正在添加中】
