基于乙烯的化学气相沉积法制备少层石墨烯

来源期刊：功能材料2015年第16期

论文作者：任文杰 朱永 龚天诚 王宁 张洁

文章页码：16115 - 16118

关键词：石墨烯;化学气相沉积;乙烯;Cu;

摘    要：采用乙烯作为碳源,利用化学气相沉积法(CVD法),在1 000℃条件下在铜箔上制备了少层石墨烯;采用不引入PMMA和PDMS等杂质的直接转移方法将石墨烯薄膜转移到Si/SiO2基底上,对石墨烯薄膜进行了表征。实验研究表明,减小乙烯的进气量可以提高石墨烯的质量;减少反应时间可以降低无定形碳的含量;增加退火时间可以提高Cu表面结晶质量,更加有利于石墨烯的生长。通过优化各项参数,使用乙烯已经可以制备I2D/IG=0.88的少层石墨烯。