InAs(001)表面金属化的转变

来源期刊：材料导报2012年第12期

论文作者：尚林涛 周勋 罗子江 张毕禅 郭祥 丁召

文章页码：101 - 217

关键词：RHEED;MBE;STM;InAs表面重构;模拟;

摘    要：论述了利用分子束外延方法在InAs(001)基片上生长InAs时,样品表面由富As的(2×4)向富In的(4×2)转变的现象。通过控制生长参数生长出了较好的富As(2×4)表面。在As压不足的情况下,轻微的提升样品衬底温度,样品表面逐渐转向富In表面的(4×2)结构,呈现出(3×1)混合相。通过实验分析及软件模拟确定表面(4×2)结构区域已覆盖多达90%,表明样品表面大部分已金属化。