卢瑟福背散射谱和红外干涉反射谱研究冷注入锗离子
来源期刊：稀有金属2009年第6期
论文作者：王敬欣 肖清华
关键词：硅; 锗; 冷注入; 损伤; 卢瑟福背散射谱; 红外干涉反射谱; silicon; germanium; cool implantation; damage; Rutherford backscattering spectrometry (RBS); infrared interference reflectance spectroscopy;
摘 要：主要研究锗离子在77 K温度下的冷注入对单晶硅片表面的预非晶化效果, 并与室温注入情形予以对比. 卢瑟福背散射谱(RBS)和红外干涉反射谱被用于对非晶层的研究. 实验表明, 冷注入要比室温注入的退沟道效应更为显著, 反射率降低更为明显, 意味着引入的损伤更为严重, 更容易使硅单晶非晶化. 而且, 冷注入产生的最大损伤峰比室温注入的位于更深的位置, 相应的非晶层/硅单晶衬底界面有更深的推入. 结果还表明, 同样的注入温度下, 剂量越大, 损伤越严重.
王敬欣1，肖清华2
(1.北京有色金属研究总院科技信息研究所,北京,100088;
2.北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司,北京,100088)
摘要:主要研究锗离子在77 K温度下的冷注入对单晶硅片表面的预非晶化效果, 并与室温注入情形予以对比. 卢瑟福背散射谱(RBS)和红外干涉反射谱被用于对非晶层的研究. 实验表明, 冷注入要比室温注入的退沟道效应更为显著, 反射率降低更为明显, 意味着引入的损伤更为严重, 更容易使硅单晶非晶化. 而且, 冷注入产生的最大损伤峰比室温注入的位于更深的位置, 相应的非晶层/硅单晶衬底界面有更深的推入. 结果还表明, 同样的注入温度下, 剂量越大, 损伤越严重.
关键词:硅; 锗; 冷注入; 损伤; 卢瑟福背散射谱; 红外干涉反射谱; silicon; germanium; cool implantation; damage; Rutherford backscattering spectrometry (RBS); infrared interference reflectance spectroscopy;
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