ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：谭满清 李玉鉴 陆建祖
关键词：ECRPlasmaCVD; 人工神经网络; 气流配比; 折射率; 淀积速率;
摘 要：以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRPlasmaCVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)关系的数学模型,此模型在给定气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)时所预测的成模折射率跟实验值符合得很好,为ECRPlasmaCVD淀积全介质光学膜的工艺打下坚实的基础.
谭满清1，李玉鉴1，陆建祖1
(1.中国科学院半导体研究所工程中心,北京100083)
摘要:以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRPlasmaCVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)关系的数学模型,此模型在给定气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)时所预测的成模折射率跟实验值符合得很好,为ECRPlasmaCVD淀积全介质光学膜的工艺打下坚实的基础.
关键词:ECRPlasmaCVD; 人工神经网络; 气流配比; 折射率; 淀积速率;
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