CVD法制备高纯钛过程中杂质铁的行为研究
来源期刊：稀有金属与硬质合金2015年第3期
论文作者：李纪伟 陈肖虎 王睿 李名新 王帅帅
文章页码：29 - 32
关键词：高纯钛;杂质铁;CVD法;低温卤化;高温沉积;热力学;
摘 要：研究了CVD法制备高纯钛过程中杂质铁的行为;通过对卤化亚铁的相关热力学计算,分析了卤化亚铁的合成与分解条件。研究结果表明,最佳卤化温度为800~1 000K,最佳裂解沉积温度为1 400~1 650K,在此温度范围内,不仅可高效生产高纯钛,还可有效抑制杂质铁带来的二次污染。
李纪伟，陈肖虎，王睿，李名新，王帅帅
贵州大学材料与冶金工程学院
摘 要：研究了CVD法制备高纯钛过程中杂质铁的行为;通过对卤化亚铁的相关热力学计算,分析了卤化亚铁的合成与分解条件。研究结果表明,最佳卤化温度为800~1 000K,最佳裂解沉积温度为1 400~1 650K,在此温度范围内,不仅可高效生产高纯钛,还可有效抑制杂质铁带来的二次污染。
关键词：高纯钛;杂质铁;CVD法;低温卤化;高温沉积;热力学;
