Cu/CuNi薄膜热电偶薄膜制备工艺优化研究

来源期刊：材料科学与工艺2014年第5期

论文作者：杨丽红 陈皓帆

文章页码：42 - 47

关键词：薄膜热电偶;磁控溅射;临界尺寸;正交试验;电阻率;

摘    要：为使磁控溅射方法制备出性能良好的Cu/CuNi薄膜热电偶,在确定Cu、CuNi薄膜临界尺寸的基础上,以基底温度、靶基距、溅射功率、工作气压为因素进行正交试验,研究制备工艺对薄膜电阻率的影响.实验结果表明:基底温度是影响薄膜电阻率大小的最主要因素,在一定范围内,温度越高,电阻率越小;确定了使Cu、CuNi薄膜电阻率最小的工艺条件.以薄膜电导理论为基础,结合薄膜微观结构和表面形貌,解释了薄膜电阻率随基底温度变化的原因.