MPCVD制备金刚石膜的形核与生长过程

江彩义^1,2，髙冀芸³，郭胜惠^1,2,4,5，杨黎^1,2,4,5，彭金辉^1,2,4,3,5，张利波^1,2,4,5，胡途^2,4,5，王仕兴^2,4,5

1. 昆明理工大学超硬材料先进制备技术国际联合研究中心2. 昆明理工大学非常规冶金教育部重点实验室3. 云南民族大学民族地区矿产资源综合利用重点实验室4. 昆明理工大学微波能工程应用与装备技术国家地方联合工程实验室5. 昆明理工大学冶金与能源工程学院

摘 要：简要介绍了金刚石膜的物理化学特性及应用领域。对比分析了主要化学气相沉积方法的优缺点,并指出MPCVD所面临的技术瓶颈。总结了反应腔体内压强、基片温度、基体材料及增强形核技术对金刚石膜形核过程的影响。较低腔体内压力、基片温度,高碳源浓度及等离子体预处理能有效提高形核密度。阐述了各过程参数对金刚石膜生长的影响和微米、纳米、超纳米金刚石膜的技术特点及应用。指出各类金刚石膜制备所面临的技术难题,并综述了解决该技术瓶颈的最新研究工作。

关键词：金刚石膜;微波等离子体;化学气相沉积;形核;生长;