扩镓Si基GaN微米带的制备和特性
来源期刊：稀有金属材料与工程2005年第7期
论文作者：庄惠照 魏芹芹 曹文田 薛成山 孙振翠
关键词：Ga2O3薄膜; GaN微米带; 射频磁控溅射; Ga2O3 films; GaN micro-ribbons; radio frequency (r.f.) magnetron sputtering;
摘 要：用射频磁控溅射工艺在室温扩镓硅衬底上沉积Ga2O3膜,然后在氨气气氛下氮化Ga2O3膜得到GaN微米带,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线光电子能谱(XPS)及光致发光谱(PL)对薄膜样品进行了结构、表面形貌、组分及发光特性分析.SEM图像显示直径约为100 nm～300 nm微米带随机分布在GaN薄膜表面.XRD、XPS及SAED分析表明GaN微米带呈六方闪锌矿多晶结构,择优沿[001]方向生长.P1显示了可能由量子限制效应引起的发光峰,其相对于报道的GaN晶体发光峰有显著蓝移.
庄惠照1，魏芹芹1，曹文田1，薛成山1，孙振翠1
(1.山东师范大学,山东,济南,250014)
摘要:用射频磁控溅射工艺在室温扩镓硅衬底上沉积Ga2O3膜,然后在氨气气氛下氮化Ga2O3膜得到GaN微米带,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线光电子能谱(XPS)及光致发光谱(PL)对薄膜样品进行了结构、表面形貌、组分及发光特性分析.SEM图像显示直径约为100 nm～300 nm微米带随机分布在GaN薄膜表面.XRD、XPS及SAED分析表明GaN微米带呈六方闪锌矿多晶结构,择优沿[001]方向生长.P1显示了可能由量子限制效应引起的发光峰,其相对于报道的GaN晶体发光峰有显著蓝移.
关键词:Ga2O3薄膜; GaN微米带; 射频磁控溅射; Ga2O3 films; GaN micro-ribbons; radio frequency (r.f.) magnetron sputtering;
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