金刚石膜介电性能影响因素的研究
来源期刊：绝缘材料2004年第1期
论文作者：吕反修 佟玉梅 李成明 唐伟忠 杨胶溪 陈广超
关键词：金刚石; 自支撑金刚石膜; 杂质; 介电性能;
摘 要：为研究沉积的金刚石膜介电性能的影响规律,用光谱学方法研究了大面积自支撑金刚石厚膜的介电性能以及加入不同含量的氮气对化学气相沉积 (CVD)金刚石膜的介电性能的影响.研究结果表明,随着甲烷浓度( 100～ 200sccm)的增加, CVD金刚石膜的生长速率和非金刚石碳的相对含量增加 ,从而导致膜的介质损耗( tanδ)增加,造成 CVD金刚石膜质量下降.随着沉积温度( 1010～ 1030K)的提高, CVD金刚石膜的介电损耗减小.氮气加入量的增加, CVD金刚石膜的介质损耗增加.
吕反修1，佟玉梅1，李成明1，唐伟忠1，杨胶溪1，陈广超1
(1.北京科技大学,北京,100083;
2.山东科技大学,山东,泰安,271019)
摘要:为研究沉积的金刚石膜介电性能的影响规律,用光谱学方法研究了大面积自支撑金刚石厚膜的介电性能以及加入不同含量的氮气对化学气相沉积 (CVD)金刚石膜的介电性能的影响.研究结果表明,随着甲烷浓度( 100～ 200sccm)的增加, CVD金刚石膜的生长速率和非金刚石碳的相对含量增加 ,从而导致膜的介质损耗( tanδ)增加,造成 CVD金刚石膜质量下降.随着沉积温度( 1010～ 1030K)的提高, CVD金刚石膜的介电损耗减小.氮气加入量的增加, CVD金刚石膜的介质损耗增加.
关键词:金刚石; 自支撑金刚石膜; 杂质; 介电性能;
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