管激发能散X射线荧光分析仪的探测系统
来源期刊：分析试验室1988年第9期
论文作者：胡树植
文章页码：40 - 43
摘 要：本文着重介绍了Si(Li)半导体能谱仪的主要特点,尤其是讨论了高分辨率Si(Li)半导体低能X射线探测装置对半导体探测器,前置放大器及低温装置的要求和设计它们的技术关键。给出了作者在生产X射线分辨率达152eV的探测装置时的实际数据。
胡树植
西安核仪器厂
摘 要：本文着重介绍了Si(Li)半导体能谱仪的主要特点,尤其是讨论了高分辨率Si(Li)半导体低能X射线探测装置对半导体探测器,前置放大器及低温装置的要求和设计它们的技术关键。给出了作者在生产X射线分辨率达152eV的探测装置时的实际数据。
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