基片及基片温度对Fe4N薄膜的形成及其特性的影响
来源期刊：功能材料2002年第5期
论文作者：吴雪梅 诸葛兰剑 王文宝 姚伟国
关键词：双离子束溅射; 基片; γ1-Fe4N薄膜; 晶粒取向;
摘 要：以双离子束溅射法在(111)硅片和玻璃上分别制得了单一γ1-Fe4N薄膜,研究了基片及基片温度对薄膜的结构和磁性能的影响.结果表明,以(111)硅片为基片,可制得无晶粒择优取向的单一γ1-Fe4N相;而以玻璃为基片,在基片温度为160℃时,则可制得具有(100)面晶粒取向的单一γ1-Fe4N相薄膜;与无晶粒择优取向的γ1-Fe4N相比较,具有(100)面晶粒取向的γ1-Fe4N相的矫顽力较低,易达到磁饱和,但二者的饱和磁化强度基本一致.
吴雪梅1，诸葛兰剑2，王文宝2，姚伟国1
(1.苏州大学,物理系,江苏,苏州,215006;
2.苏州大学,分析测试中心,江苏,苏州,215006)
摘要:以双离子束溅射法在(111)硅片和玻璃上分别制得了单一γ1-Fe4N薄膜,研究了基片及基片温度对薄膜的结构和磁性能的影响.结果表明,以(111)硅片为基片,可制得无晶粒择优取向的单一γ1-Fe4N相;而以玻璃为基片,在基片温度为160℃时,则可制得具有(100)面晶粒取向的单一γ1-Fe4N相薄膜;与无晶粒择优取向的γ1-Fe4N相比较,具有(100)面晶粒取向的γ1-Fe4N相的矫顽力较低,易达到磁饱和,但二者的饱和磁化强度基本一致.
关键词:双离子束溅射; 基片; γ1-Fe4N薄膜; 晶粒取向;
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