涂层导体DyBiO3(DBO)缓冲层的低温制备
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年第5期
论文作者：李果 孙瑞萍 赵勇 蒲明华 王文涛
关键词：涂层导体; DyBiO3缓冲层; 低温成相;
摘 要：通过685～750 ℃之间进行低温成相,在LaAlO3 (LAO)单晶基底上沉积得到了有较大应用前景的涂层导体DyBiO3 (DBO)缓冲层.结果表明:所得的缓冲层c轴取向良好,致密、平整、无裂纹.当温度大于750 ℃时,DBO表面开始变得粗糙.沉积在DBO缓冲层上的YBCO超导层c轴织构的样品,样品表面平整均匀,超导转变温度在90 K左右,临界电流密度大于1 MA/cm2.从工业应用角度讲,低温的缓冲层制备具有极大的经济优势,应用前景更为广泛.
李果1，孙瑞萍1，赵勇1，蒲明华1，王文涛1
(1.西南交通大学,材料先进技术教育部重点实验室,四川,成都,610031)
摘要:通过685～750 ℃之间进行低温成相,在LaAlO3 (LAO)单晶基底上沉积得到了有较大应用前景的涂层导体DyBiO3 (DBO)缓冲层.结果表明:所得的缓冲层c轴取向良好,致密、平整、无裂纹.当温度大于750 ℃时,DBO表面开始变得粗糙.沉积在DBO缓冲层上的YBCO超导层c轴织构的样品,样品表面平整均匀,超导转变温度在90 K左右,临界电流密度大于1 MA/cm2.从工业应用角度讲,低温的缓冲层制备具有极大的经济优势,应用前景更为广泛.
关键词:涂层导体; DyBiO3缓冲层; 低温成相;
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