识别酪氨酸对映体的分子印迹电化学传感器
来源期刊：理化检验-化学分册2007年第12期
论文作者：孔泳 陈智栋 黄刚堂 王文昌
关键词：分子印迹; 电化学传感器; 酪氨酸; 对映体;
摘 要：掺杂有模板分子L-苯基乳酸的聚吡咯膜通过循环伏安法聚合到碳糊电极表面.在0.1 mol·L-1 NaOH溶液中恒电位过氧化处理,将此修饰电极先在D-酪氨酸溶液中富集,在pH 2.0的0.1 mol·L-1 KCl溶液中溶出.然后将修饰电极再置于0.1 mol·L-1 NaOH溶液过氧化处理,以洗脱残留在电极上的D-酪氨酸,按同样方法测试L-1酪氨酸.酪氨酸对映体在经过掺杂和过氧化洗脱的聚吡咯电极表面的溶出电位比裸碳糊电极的溶出电位向负方向移动了大约200 mV.在最优化的工作条件下,L-酪氨酸与D-酪氨酸溶出峰电流的比值可以达到2.18.
孔泳1，陈智栋1，黄刚堂1，王文昌1
(1.江苏工业学院,化学工程系,常州213164)
摘要:掺杂有模板分子L-苯基乳酸的聚吡咯膜通过循环伏安法聚合到碳糊电极表面.在0.1 mol·L-1 NaOH溶液中恒电位过氧化处理,将此修饰电极先在D-酪氨酸溶液中富集,在pH 2.0的0.1 mol·L-1 KCl溶液中溶出.然后将修饰电极再置于0.1 mol·L-1 NaOH溶液过氧化处理,以洗脱残留在电极上的D-酪氨酸,按同样方法测试L-1酪氨酸.酪氨酸对映体在经过掺杂和过氧化洗脱的聚吡咯电极表面的溶出电位比裸碳糊电极的溶出电位向负方向移动了大约200 mV.在最优化的工作条件下,L-酪氨酸与D-酪氨酸溶出峰电流的比值可以达到2.18.
关键词:分子印迹; 电化学传感器; 酪氨酸; 对映体;
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