超薄Ni₈₁Fe₁₉薄膜的各向异性磁电阻及磁性能

来源期刊：理化检验物理分册2012年第9期

论文作者：王书运 何建方 王存涛

文章页码：572 - 575

关键词：Ni81Fe19薄膜;基片温度;超薄薄膜;各向异性磁电阻;缓冲层厚度;

摘    要：利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta（5nm）/Ni81Fe19（20nm）/Ta（3nm）磁性薄膜。着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电阻（AMR）及磁性能的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针技术测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻;用FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应试验系统测量了薄膜的磁滞回线。结果表明:在基片温度为400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻为3.5%,最低磁化饱和场为739.67A/m。基片温度为500℃制备的薄膜,饱和磁化强度Ms值最大。随着缓冲层厚度x的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值。