简介概要

AlInN光电薄膜的研究进展

来源期刊：材料导报2010年第7期

论文作者：董成军芦伟魏屹徐明

关键词：AlInN薄膜; 制备方法; 特性; 应用; AlInN films; growth methods; properties; application;

摘要：AlInN三元合金是优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,具有优良的光学和电学性能,在光电子器件应用方面具有广阔的应用前景.详细评述了近年来AlInN薄膜材料在生长技术、晶体结构、表面形貌、热学特性、光电特性等方面的研究,为AlInN三元合金在光电方面的基础和应用研究提供了重要参考.

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董成军¹，芦伟¹，魏屹¹，徐明¹

(1.四川师范大学固体物理所低维结构物理实验室,成都,610068;
2.中国科学院国际材料物理中心,沈阳,110016)

摘要:AlInN三元合金是优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,具有优良的光学和电学性能,在光电子器件应用方面具有广阔的应用前景.详细评述了近年来AlInN薄膜材料在生长技术、晶体结构、表面形貌、热学特性、光电特性等方面的研究,为AlInN三元合金在光电方面的基础和应用研究提供了重要参考.

关键词:AlInN薄膜; 制备方法; 特性; 应用; AlInN films; growth methods; properties; application;

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