固相反应合成β-SiC粉体的工艺参数对其介电性能的影响
来源期刊:材料导报2011年第20期
论文作者:苏晓磊 周万城 徐洁 王俊勃 贺辛亥 付翀
文章页码:77 - 79
关键词:碳化硅;介电性能;固相反应;
摘 要:采用固相反应合成法,以硅粉和炭黑为原料,分别在0.1MPa的氩气和氮气气氛中合成β-SiC粉体。通过X射线衍射和扫描电镜对合成粉体的物相、微观结构及形貌进行了表征。同时在8.2~12.4GHz频率范围内进行了介电性能测试。结果表明,在氩气中合成β-SiC粉体其晶格参数小于在氮气中合成粉体的晶格参数,两者均小于标准值,但介电参数表现出了相反的趋势。讨论了合成机理和气氛对SiC介电性能的影响。
苏晓磊1,周万城2,徐洁1,王俊勃1,贺辛亥1,付翀1
1. 西安工程大学机电工程学院2. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室
摘 要:采用固相反应合成法,以硅粉和炭黑为原料,分别在0.1MPa的氩气和氮气气氛中合成β-SiC粉体。通过X射线衍射和扫描电镜对合成粉体的物相、微观结构及形貌进行了表征。同时在8.2~12.4GHz频率范围内进行了介电性能测试。结果表明,在氩气中合成β-SiC粉体其晶格参数小于在氮气中合成粉体的晶格参数,两者均小于标准值,但介电参数表现出了相反的趋势。讨论了合成机理和气氛对SiC介电性能的影响。
关键词:碳化硅;介电性能;固相反应;