二氧化硅/聚酰亚胺纳米复合薄膜的制备与性能研究
来源期刊：绝缘材料2009年第6期
论文作者：陈昊 刘俊 范勇 何明鹏 李娟
关键词：聚酰亚胺; 纳米氧化硅; 热性能; 电性能;
摘 要：采用溶胶-凝胶法,以苯基三乙氧基硅烷(PTES)为前驱体制备了氧化硅溶胶,并以均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4'-二氨基二苯醚(ODA)为原料,用原位生成法制备了一系列不同掺杂量(质最分数)的PI/SiO2复合薄膜.分别采用热失重分析仪(TGA)、扫描电镜(SEM)、耐电晕测试装置和耐击穿测试装置对薄膜的热性能、电性能进行了测试.结果表明,掺杂量为15%时纳米氧化硅粒子在PI基体中分散均匀,掺杂量为10%,热分解温度达到最大值,并且在工频50 Hz,场强为60 MV/m的室温条件下,掺杂量为15%时复合膜的耐电晕时间最长为55.73 h,电气强度为327 MV/m高于纯膜.
陈昊1，刘俊1，范勇1，何明鹏1，李娟1
(1.哈尔滨理工大学,材料科学与工程学院,哈尔滨,150040)
摘要:采用溶胶-凝胶法,以苯基三乙氧基硅烷(PTES)为前驱体制备了氧化硅溶胶,并以均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4''-二氨基二苯醚(ODA)为原料,用原位生成法制备了一系列不同掺杂量(质最分数)的PI/SiO2复合薄膜.分别采用热失重分析仪(TGA)、扫描电镜(SEM)、耐电晕测试装置和耐击穿测试装置对薄膜的热性能、电性能进行了测试.结果表明,掺杂量为15%时纳米氧化硅粒子在PI基体中分散均匀,掺杂量为10%,热分解温度达到最大值,并且在工频50 Hz,场强为60 MV/m的室温条件下,掺杂量为15%时复合膜的耐电晕时间最长为55.73 h,电气强度为327 MV/m高于纯膜.
关键词:聚酰亚胺; 纳米氧化硅; 热性能; 电性能;
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