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Dy3+掺杂Ge-Ga-Se-KBr硫卤玻璃近红外和中红外发光特性研究

来源期刊:中国稀土学报2010年第2期

论文作者:李忠秀 沈祥 聂秋华 章向华 王训四 戴世勋 徐铁峰

关键词:硫卤玻璃; 中红外发光; Dy3+掺杂; 发射截面; 稀土;

摘    要:用熔融淬冷法制备了系列掺杂浓度的Dy3+∶ Ge-Ga-Se-KBr硫卤玻璃样品, 测试了样品的折射率、吸收光谱、近红外及中红外荧光谱. 应用Judd-Ofelt理论计算了Dy3+离子的强度参数 (Ωi, i=2,4,6)、自发辐射跃迁几率(A)、荧光分支比(β)和辐射寿命(τrad)等光谱参数. 研究了810 nm激光泵浦下样品中红外荧光特性与掺杂浓度之间的关系, 利用McCumber(MC)和Futchbauer-Ladenburg(FL)理论分别计算了常温Dy3+:6F5/2→6H9/2(2.17 μm), 6F11/2(6H9/2)→6H13/2(2.47)和6H13/2→6H15/2(2.86 μm)中红外荧光的受激发射截面.

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Dy3+掺杂Ge-Ga-Se-KBr硫卤玻璃近红外和中红外发光特性研究

李忠秀1,沈祥1,聂秋华1,章向华2,王训四1,戴世勋1,徐铁峰1

(1.宁波大学信息科学与工程学院,浙江,宁波,315211;
2.法国雷恩I大学玻璃与陶瓷国家实验室,法国,雷恩,35042;
3.中国科学院西安光学精密机械研究所,瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西,西安,710119)

摘要:用熔融淬冷法制备了系列掺杂浓度的Dy3+∶ Ge-Ga-Se-KBr硫卤玻璃样品, 测试了样品的折射率、吸收光谱、近红外及中红外荧光谱. 应用Judd-Ofelt理论计算了Dy3+离子的强度参数 (Ωi, i=2,4,6)、自发辐射跃迁几率(A)、荧光分支比(β)和辐射寿命(τrad)等光谱参数. 研究了810 nm激光泵浦下样品中红外荧光特性与掺杂浓度之间的关系, 利用McCumber(MC)和Futchbauer-Ladenburg(FL)理论分别计算了常温Dy3+:6F5/2→6H9/2(2.17 μm), 6F11/2(6H9/2)→6H13/2(2.47)和6H13/2→6H15/2(2.86 μm)中红外荧光的受激发射截面.

关键词:硫卤玻璃; 中红外发光; Dy3+掺杂; 发射截面; 稀土;

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