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GaAs单晶材料发展现状和展望

来源期刊:世界有色金属2000年第10期

论文作者:邓志杰

文章页码:8 - 11

关键词:GaAs;单晶生产工艺;位错;热应力;原料Ga;

摘    要:概述了各种GaAs单晶生产工艺的发展现状 ,并进行了简要比较。目前 ,全世界GaAs单晶产量约 80~ 10 0t。随着各类GaAs器件和电路需求量的增长 ,GaAs单晶生产规模还在不断扩大 ;并因此带动了对原料Ga的强烈需求和价格上扬

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GaAs单晶材料发展现状和展望

邓志杰

北京有色金属研究总院

摘 要:概述了各种GaAs单晶生产工艺的发展现状 ,并进行了简要比较。目前 ,全世界GaAs单晶产量约 80~ 10 0t。随着各类GaAs器件和电路需求量的增长 ,GaAs单晶生产规模还在不断扩大 ;并因此带动了对原料Ga的强烈需求和价格上扬

关键词:GaAs;单晶生产工艺;位错;热应力;原料Ga;

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