碳纳米管场发射薄膜发射电流变化的理论分析
来源期刊:材料导报2008年第3期
论文作者:杨云青 饶早英 梁孝云 王蜀霞 胡慧君 牛君杰
关键词:场发射; 热电子发射; 势垒; 位相变化;
摘 要:碳纳米管薄膜具有优于传统发射器件的场发射特征,但它的场发射电流曲线只在低场区与特征曲线符合较好,在高场区偏离特征曲线.讨论了热电子发射、量子隧穿导致的位相改变对发射电流的影响,分析了场发射电流、位相的变化,解释了高场区发射电流曲线偏离的原因.
杨云青1,饶早英1,梁孝云2,王蜀霞1,胡慧君1,牛君杰1
(1.重庆大学数理学院物理系,重庆,400044;
2.湖北省巴东县雷家坪中学,巴东,444301)
摘要:碳纳米管薄膜具有优于传统发射器件的场发射特征,但它的场发射电流曲线只在低场区与特征曲线符合较好,在高场区偏离特征曲线.讨论了热电子发射、量子隧穿导致的位相改变对发射电流的影响,分析了场发射电流、位相的变化,解释了高场区发射电流曲线偏离的原因.
关键词:场发射; 热电子发射; 势垒; 位相变化;
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