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碳纳米管场发射薄膜发射电流变化的理论分析

来源期刊：材料导报2008年第3期

论文作者：杨云青饶早英梁孝云王蜀霞胡慧君牛君杰

关键词：场发射; 热电子发射; 势垒; 位相变化;

摘要：碳纳米管薄膜具有优于传统发射器件的场发射特征,但它的场发射电流曲线只在低场区与特征曲线符合较好,在高场区偏离特征曲线.讨论了热电子发射、量子隧穿导致的位相改变对发射电流的影响,分析了场发射电流、位相的变化,解释了高场区发射电流曲线偏离的原因.

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杨云青¹，饶早英¹，梁孝云²，王蜀霞¹，胡慧君¹，牛君杰¹

(1.重庆大学数理学院物理系,重庆,400044;
2.湖北省巴东县雷家坪中学,巴东,444301)

摘要:碳纳米管薄膜具有优于传统发射器件的场发射特征,但它的场发射电流曲线只在低场区与特征曲线符合较好,在高场区偏离特征曲线.讨论了热电子发射、量子隧穿导致的位相改变对发射电流的影响,分析了场发射电流、位相的变化,解释了高场区发射电流曲线偏离的原因.

关键词:场发射; 热电子发射; 势垒; 位相变化;

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