聚二甲基硅烷高压合成聚碳硅烷的组成、结构及性能表征
来源期刊：宇航材料工艺2004年第5期
论文作者：程祥珍 谢征芳 宋永才 肖加余
关键词：聚二甲基硅烷; 高压合成; 聚碳硅烷; 组成结构; 性能;
摘 要：以聚二甲基硅烷(PDMS)为原料,在高压釜内反应制备了聚碳硅烷(PCS)先驱体,并以软化点、元素分析、IR、GPC、NMR、TG-DTG-DTA、XRD等方法对其组成、结构及性能进行了表征,推测了PCS的大致结构模型.研究表明:PCS数均分子量约1590,实验式为SiC1.87H7.13O0.03,PCS分子包含Si-CH3、Si-CH2-Si、Si-H组成的SiC4、SiC3H等结构单元,由NMR知其C-H/Si-H值为8.84,SiC3H/SiC4为0.51.热分析表明,在N2气氛中1 200℃裂解后,陶瓷收率为78.9%.XRD分析表明,在N2中1 250℃裂解后转化为β-SiC,晶粒尺寸约3.75 nn.
程祥珍1，谢征芳1，宋永才1，肖加余1
(1.国防科技大学航天与材料工程学院CFC室,长沙,410073)
摘要:以聚二甲基硅烷(PDMS)为原料,在高压釜内反应制备了聚碳硅烷(PCS)先驱体,并以软化点、元素分析、IR、GPC、NMR、TG-DTG-DTA、XRD等方法对其组成、结构及性能进行了表征,推测了PCS的大致结构模型.研究表明:PCS数均分子量约1590,实验式为SiC1.87H7.13O0.03,PCS分子包含Si-CH3、Si-CH2-Si、Si-H组成的SiC4、SiC3H等结构单元,由NMR知其C-H/Si-H值为8.84,SiC3H/SiC4为0.51.热分析表明,在N2气氛中1 200℃裂解后,陶瓷收率为78.9%.XRD分析表明,在N2中1 250℃裂解后转化为β-SiC,晶粒尺寸约3.75 nn.
关键词:聚二甲基硅烷; 高压合成; 聚碳硅烷; 组成结构; 性能;
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