第Ⅵ族元素半导体纳米线的可控合成及其纳米电子学器件研究
来源期刊：材料工程2008年第10期
论文作者：陈军武 覃东欢 刘红梅 兰林峰 陶洪 曹镛
关键词：Ⅵ族半导体; 纳米线; 场效应晶体管;
摘 要：采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线.高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴即[001]方向生长.结合光刻、电子束刻蚀技术,分别制备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件(FET).对器件测试的结果显示:硒和碲纳米线均为P型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30.7,70cm2V-1 s-1.这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义.
陈军武1，覃东欢1，刘红梅1，兰林峰1，陶洪1，曹镛1
(1.华南理工大学,特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州,510641)
摘要:采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线.高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴即[001]方向生长.结合光刻、电子束刻蚀技术,分别制备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件(FET).对器件测试的结果显示:硒和碲纳米线均为P型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30.7,70cm2V-1 s-1.这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义.
关键词:Ⅵ族半导体; 纳米线; 场效应晶体管;
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