磁控溅射法制备用作铜互连阻挡层的钛-铝薄膜
来源期刊:机械工程材料2009年第5期
论文作者:邢金柱 刘保亭 霍骥川 周阳 李晓红 李丽 张湘义 彭英才 王侠
文章页码:83 - 86
关键词:铜互连;阻挡层;钛-铝薄膜;射频磁控溅射;
摘 要:采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上首先沉积了厚度40 nm的非晶钛-铝薄膜,然后在其上又原位生长了厚度100 nm的铜薄膜,制备了铜膜/钛-铝膜/硅试样;对试样分别在400800℃内进行真空退火处理,用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪对试样的表面形貌、结晶状态及方块电阻进行了分析。结果表明:当退火温度低于750℃时,试样表面平整,表面粗糙度和方块电阻均较小且基本不随退火温度的升高而改变,此时,非晶钛-铝薄膜能够起到阻挡铜向硅中扩散的作用;当退火温度在800℃时,试样的表面粗糙度和方块电阻急剧增大,此时,非晶钛-铝薄膜已经不能起到阻挡层的作用。
邢金柱1,刘保亭2,霍骥川2,周阳2,李晓红2,李丽2,张湘义2,彭英才1,王侠1
1. 河北大学电信学院2. 河北大学物理科学与技术学院铁性材料与器件研究所
摘 要:采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上首先沉积了厚度40 nm的非晶钛-铝薄膜,然后在其上又原位生长了厚度100 nm的铜薄膜,制备了铜膜/钛-铝膜/硅试样;对试样分别在400800℃内进行真空退火处理,用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪对试样的表面形貌、结晶状态及方块电阻进行了分析。结果表明:当退火温度低于750℃时,试样表面平整,表面粗糙度和方块电阻均较小且基本不随退火温度的升高而改变,此时,非晶钛-铝薄膜能够起到阻挡铜向硅中扩散的作用;当退火温度在800℃时,试样的表面粗糙度和方块电阻急剧增大,此时,非晶钛-铝薄膜已经不能起到阻挡层的作用。
关键词:铜互连;阻挡层;钛-铝薄膜;射频磁控溅射;