GaAs（001）薄膜的表面形貌相变和表面重构

刘雪飞¹，吕兵¹，罗子江²，王继红³，郭祥³，杨秀璋²

1. 贵州师范大学物理与电子科学学院2. 贵州财经大学信息学院3. 贵州大学大数据与信息工程学院

摘 要：从原子级平坦的GaAs（001）-β2（2×4）重构表面出发,结合Reflection High Energy Electron Diffraction （RHEED）衍射图像演变和不同尺度的Scanning tunneling microscope （STM）实空间扫描图像,获取GaAs（001）薄膜表面形貌相变和表面重构的重要信息,深入地研究GaAs（001）表面形貌相变和表面重构的相互促进关系。研究发现表面重构的变化是促使表面形貌发生相变的主要动力,单一表面重构组成的GaAs（001）表面形貌更容易处于有序平坦相,GaAs（001）表面预粗糙相则是由两种同类型或者重构原胞差异很小的表面重构交织混合形成,当表面由两种完全不同类型的表面重构交错混合形成时GaAs（001）表面形貌将进入粗糙状态。研究结果表明GaAs（001）表面重构是表面形貌发生相变过程的微观内在原因,而GaAs（001）表面形貌相变是表面重构发生变化的宏观外在体现。

关键词：GaAs（001）;形貌相变;表面重构;RHEED;STM;