PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征
来源期刊：无机材料学报2001年第6期
论文作者：张卫 丁士进 张庆全 王季陶
关键词：等离子体增强化学气相淀积; 氟碳掺杂的氧化硅薄膜; X射线光电子能谱; 傅立叶变换红外光谱; 折射率;
摘 要：以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4Fs)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF).样品的X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明薄膜中含有Si-F、Si-O、C-F、C-CFx、CF2等构型.刚淀积的薄膜的折射率约为1.40.对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量,并对其变化机理进行了讨论,同时表明了理想的淀积温度应是300°C.
张卫1，丁士进1，张庆全1，王季陶1
(1.复旦大学电子工程系,)
摘要:以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4Fs)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF).样品的X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明薄膜中含有Si-F、Si-O、C-F、C-CFx、CF2等构型.刚淀积的薄膜的折射率约为1.40.对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量,并对其变化机理进行了讨论,同时表明了理想的淀积温度应是300°C.
关键词:等离子体增强化学气相淀积; 氟碳掺杂的氧化硅薄膜; X射线光电子能谱; 傅立叶变换红外光谱; 折射率;
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