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高温氧化对超高温陶瓷材料耦合传热的影响

来源期刊:复合材料学报2016年第5期

论文作者:周印佳 孟松鹤 解维华 金华 杜善义

文章页码:1079 - 1086

关键词:超高温陶瓷;氧化;耦合传热;数值模拟;CFD;有限元法;

摘    要:超高温陶瓷材料暴露于极端高温飞行环境中会导致其发生氧化,表面生成的氧化物具有不同的热物性从而对传热过程造成影响。针对预氧化的ZrB2和ZrB2-SiC,基于氧化模型预测氧化层(ZrO2、B2O3、SiO2和SiC耗尽层)厚度,利用有限元建立圆柱形代表性体积单元,并与外部高超声速流场的CFD(Computational Fluid Dynamics)求解器相耦合,研究了高温氧化对超高温陶瓷材料的耦合传热的影响。计算中采用分区求解方法,通过耦合界面处非匹配网格间的插值完成实时数据交换,实现了基于Navier-Stokes方程的流动求解器与有限元求解器的多场耦合计算。ZrB2、ZrB2-SiC以及氧化生成物的热物性均为温度相关,通过理论计算给出了B2O3挥发及SiC耗尽导致的多孔结构的有效热导率和有效比热容。瞬态耦合传热分析的结果表明:ZrB2在预氧化后其热阻能力略有提高,ZrB2-SiC氧化前后的热阻变化很小,并且在相同流动环境条件下,氧化后ZrB2的热阻能力高于氧化后ZrB2-SiC的热阻能力。

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高温氧化对超高温陶瓷材料耦合传热的影响

周印佳,孟松鹤,解维华,金华,杜善义

哈尔滨工业大学航天学院

摘 要:超高温陶瓷材料暴露于极端高温飞行环境中会导致其发生氧化,表面生成的氧化物具有不同的热物性从而对传热过程造成影响。针对预氧化的ZrB2和ZrB2-SiC,基于氧化模型预测氧化层(ZrO2、B2O3、SiO2和SiC耗尽层)厚度,利用有限元建立圆柱形代表性体积单元,并与外部高超声速流场的CFD(Computational Fluid Dynamics)求解器相耦合,研究了高温氧化对超高温陶瓷材料的耦合传热的影响。计算中采用分区求解方法,通过耦合界面处非匹配网格间的插值完成实时数据交换,实现了基于Navier-Stokes方程的流动求解器与有限元求解器的多场耦合计算。ZrB2、ZrB2-SiC以及氧化生成物的热物性均为温度相关,通过理论计算给出了B2O3挥发及SiC耗尽导致的多孔结构的有效热导率和有效比热容。瞬态耦合传热分析的结果表明:ZrB2在预氧化后其热阻能力略有提高,ZrB2-SiC氧化前后的热阻变化很小,并且在相同流动环境条件下,氧化后ZrB2的热阻能力高于氧化后ZrB2-SiC的热阻能力。

关键词:超高温陶瓷;氧化;耦合传热;数值模拟;CFD;有限元法;

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