刻蚀液中HF和H2O2的摩尔分数对Ag辅助化学刻蚀Si形貌的影响
来源期刊：金属学报2013年第8期
论文作者：贺春林 杨雪飞 马国峰 王建明 赵栋梁 才庆魁
文章页码：989 - 995
关键词：Si;Ag辅助化学刻蚀;减反射;
摘 要：采用扫描电镜和紫外-可见分光光度计研究了Ag粒子在小团聚条件下辅助化学刻蚀Si过程中,刻蚀剂HF和氧化剂H2O2的体积比对刻蚀孔隙结构和刻蚀速度的影响.结果表明,HF和H2O2的体积比对刻蚀Si中的孔隙生长速度和形貌有明显的影响,HF和H2O2的摩尔分数ρ=[HF]/（[HF]+[H2O2]）过低或过高均不利于孔隙的生长.当60%<ρ<80%时,Si可获得快速刻蚀,刻蚀速度为1050—1260 nm/min.此时,孔隙密度高,孔径较大且相互连通,沿垂直Si表面生长.所获得的Si表面对200—1000 nm波段太阳光的平均反射率可降至5.9%.此外,孔隙生长速度和形貌也与Ag颗粒的尺寸和形态密切相关.
贺春林1，杨雪飞1，马国峰1，王建明1，赵栋梁2，才庆魁1
1. 沈阳大学辽宁省先进材料制备技术重点实验室2. 北京钢铁研究总院功能材料研究所
摘 要：采用扫描电镜和紫外-可见分光光度计研究了Ag粒子在小团聚条件下辅助化学刻蚀Si过程中,刻蚀剂HF和氧化剂H2O2的体积比对刻蚀孔隙结构和刻蚀速度的影响.结果表明,HF和H2O2的体积比对刻蚀Si中的孔隙生长速度和形貌有明显的影响,HF和H2O2的摩尔分数ρ=[HF]/（[HF]+[H2O2]）过低或过高均不利于孔隙的生长.当60%<ρ<80%时,Si可获得快速刻蚀,刻蚀速度为1050—1260 nm/min.此时,孔隙密度高,孔径较大且相互连通,沿垂直Si表面生长.所获得的Si表面对200—1000 nm波段太阳光的平均反射率可降至5.9%.此外,孔隙生长速度和形貌也与Ag颗粒的尺寸和形态密切相关.
关键词：Si;Ag辅助化学刻蚀;减反射;
