退火处理对长波长InAsSb材料电学性能的影响

来源期刊：材料热处理学报2014年第12期

论文作者：高玉竹 周冉 龚秀英 杜传兴

文章页码：11 - 14

关键词：InAsSb;退火处理;元素分布;电学性质;

摘    要：研究长波长InAsSb半导体材料在退火处理前、后,傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱、组份元素In、Sb和As在外延层中的分布以及电学性质的变化。用熔体外延(ME)技术,在InAs衬底上生长InAs0.05Sb0.95外延层,外延层的厚度达到100μm。在350℃下,在氢气氛中对样品进行了11h的退火。测量结果表明,退火处理使InAsSb样品的电子迁移率从300K下的43600cm2/(V·s)提高到77K下的48300cm2/(V·s),材料的电学性能及元素分布均匀性得到了明显改善。