GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算
来源期刊：功能材料与器件学报2002年第3期
论文作者：陈意桥 李爱珍 高少文
关键词：GaInAs/GaInAsP; 应变量子阱; 色散;
摘 要：对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层.研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量子阱结构中电子和空穴的能级以及能级的色散关系.
陈意桥1，李爱珍1，高少文1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050)
摘要:对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层.研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量子阱结构中电子和空穴的能级以及能级的色散关系.
关键词:GaInAs/GaInAsP; 应变量子阱; 色散;
【全文内容正在添加中】
