Ni52Mn26Ga22薄膜的马氏体相变和磁电阻
来源期刊：金属功能材料2006年第3期
论文作者：於元炯 丁娟 符史流 赵韦人
关键词：马氏体相变; 薄膜; 磁电阻;
摘 要：用电子束蒸发方法制备了多晶NiMnGa薄膜.用Ni52Mn26Ga22合金作靶材,衬底为<111>取向的单晶硅抛光面.沉积时衬底温度为773K.电子束蒸发在本底真空3×10-3Pa中进行.X射线衍射图谱表明薄膜在室温下为奥氏体相.电阻随温度的变化关系表明薄膜的马氏体相变开始温度约在256K,且相变滞后较小.在室温下的奥氏体具有正的磁电阻效应,在1T磁场下磁电阻为0.06%.马氏体的磁电阻很小,这种差异来源于电子结构的不同.
於元炯1，丁娟2，符史流2，赵韦人2
(1.浙江师范大学物理系,浙江,金华,321004;
2.汕头大学物理系,广东,汕头,515063)
摘要:用电子束蒸发方法制备了多晶NiMnGa薄膜.用Ni52Mn26Ga22合金作靶材,衬底为<111>取向的单晶硅抛光面.沉积时衬底温度为773K.电子束蒸发在本底真空3×10-3Pa中进行.X射线衍射图谱表明薄膜在室温下为奥氏体相.电阻随温度的变化关系表明薄膜的马氏体相变开始温度约在256K,且相变滞后较小.在室温下的奥氏体具有正的磁电阻效应,在1T磁场下磁电阻为0.06%.马氏体的磁电阻很小,这种差异来源于电子结构的不同.
关键词:马氏体相变; 薄膜; 磁电阻;
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