高质量GaN/Al2O3薄膜的三晶高分辨X射线衍射研究
来源期刊：功能材料与器件学报2006年第6期
论文作者：肖祁陵 王立 张萌
关键词：GaN; 高分辨X射线衍射; 位错密度; 掠入射;
摘 要：通过对常压MOCVD工艺下制备的GaN/Al2O3两种样品的X射线衍射分析,利用不同的掠入射角及倾斜ω扫描,精确测量了GaN薄膜的晶体结构和位错密度,据此提出了一种表征薄膜纵向位错密度的新方法.结果表明实验制备的GaN薄膜具有相当一致的c轴取向,对称衍射(002)面ω扫描半峰宽分别为229.8arcsec、225.7 arcsec;同时,根据倾斜对称ω扫描半峰宽分析认为样品A、B的位错密度分别约为4.0801×108/cm2,5.8724×108/cm2,其样品A的位错密度小于样品B,但PL谱给出样品A的发光效率低于样品B;而根据不同的掠入射ω扫描推断出样品A的位错密度大于样品B,与相应的发光性能吻合.
肖祁陵1，王立2，张萌1
(1.南昌大学,材料科学与工程学院,南昌,330047;
2.南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047)
摘要:通过对常压MOCVD工艺下制备的GaN/Al2O3两种样品的X射线衍射分析,利用不同的掠入射角及倾斜ω扫描,精确测量了GaN薄膜的晶体结构和位错密度,据此提出了一种表征薄膜纵向位错密度的新方法.结果表明实验制备的GaN薄膜具有相当一致的c轴取向,对称衍射(002)面ω扫描半峰宽分别为229.8arcsec、225.7 arcsec;同时,根据倾斜对称ω扫描半峰宽分析认为样品A、B的位错密度分别约为4.0801×108/cm2,5.8724×108/cm2,其样品A的位错密度小于样品B,但PL谱给出样品A的发光效率低于样品B;而根据不同的掠入射ω扫描推断出样品A的位错密度大于样品B,与相应的发光性能吻合.
关键词:GaN; 高分辨X射线衍射; 位错密度; 掠入射;
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