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Ge纳米点/Si纳米线复合结构制备及微结构特征分析

来源期刊:功能材料2010年第8期

论文作者:叶敏华 王丁迪 徐子敬 濮林 施毅 韩民 张荣 郑有炓

文章页码:1332 - 1335

关键词:纳米点;纳米线;制备;微结构;

摘    要:结合金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备Si纳米线和低压化学气相外延自组织生长Ge纳米点制备了Ge纳米点/Si纳米线复合结构,采用电子显微镜、微区原子力/拉曼联合测试系统进行了微结构表征。Ge纳米点基本均匀地分布于Si纳米线上,通过改变生长参数可有效控制Ge纳米点的尺寸和密度。在非常扁薄的无支撑的纳米点/线复合结构中,由于应力和热效应的作用使Si和Ge的拉曼散射特征峰发生了较大的红移。

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Ge纳米点/Si纳米线复合结构制备及微结构特征分析

叶敏华,王丁迪,徐子敬,濮林,施毅,韩民,张荣,郑有炓

南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室

摘 要:结合金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备Si纳米线和低压化学气相外延自组织生长Ge纳米点制备了Ge纳米点/Si纳米线复合结构,采用电子显微镜、微区原子力/拉曼联合测试系统进行了微结构表征。Ge纳米点基本均匀地分布于Si纳米线上,通过改变生长参数可有效控制Ge纳米点的尺寸和密度。在非常扁薄的无支撑的纳米点/线复合结构中,由于应力和热效应的作用使Si和Ge的拉曼散射特征峰发生了较大的红移。

关键词:纳米点;纳米线;制备;微结构;

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