温度场和电场调控硅基反铁电厚膜相变电流特性研究

来源期刊：功能材料2012年第9期

论文作者：杨玉华 杜妙璇 关新锋 丑修建 张文栋

文章页码：1212 - 1216

关键词：PLZT反铁电厚膜;相变;电流密度;温度;电场;

摘    要：采用溶胶-凝胶技术,在Pt（111）/Ti/SiO2/Si衬底上制备了高（100）取向生长、表面平整且结构致密的（Pb,La）（Zr,Ti）O3反铁电厚膜,研究了温度场和电场对（Pb,La）（Zr,Ti）O3反铁电厚膜电学性能的影响。实验结果表明反铁电厚膜在温度场和电场作用下发生反铁电相、铁电相和顺电相的相互转变,随外加电场增加,反铁电-铁电相变温度逐渐减小,介电常数峰值由2410减小到662,相变电流密度值由2.21×10-7A/cm2增大到8.52×10-7 A/cm2;随外加温度场增加,反铁电-铁电相变电场强度逐渐减小,饱和极化强度由39μC/cm2减小到31μC/cm2,相变电流密度值由2.89×10-5 A/cm2减小到8.8×10-6 A/cm2,温度场和电场可实现对反铁电厚膜相变电流效应的有效调控。