微波烧结制备碳化硅晶须的影响因素
来源期刊：材料热处理学报2013年第8期
论文作者：郝斌 刘剑 刘进强 王福
文章页码：1 - 5
关键词：微波烧结;温度;碳化硅;晶须;
摘 要：将干燥后的硅溶胶-活性炭作为反应物,在不加入任何金属催化剂的情况下,利用微波加热碳热还原法合成碳化硅晶须,研究反应温度和时间及坩埚部位对产物的影响。结果表明:30 min时,温度由1300℃升高到1600℃,产物中物相β-SiC越来越多;1500℃条件下,合成产物在坩埚的上部和中部主要分别为分散的SiC晶须和团聚在一起的SiC晶须;坩埚底部的产物主要为表面光滑的SiO2颗粒。1600℃条件下,合成产物在坩埚的上部和中部主要分别为分散的SiC晶须和等轴状β-SiC颗粒,底部为晶须和颗粒的混合物。1500℃×30 min得到的SiC晶须产率和直晶率优于1600℃×30 min得到的SiC晶须产率和直晶率。
郝斌1，刘剑1，刘进强1，王福2
1. 唐山学院环境与化学工程系2. 中国科学院唐山高新技术研究与转化中心
摘 要：将干燥后的硅溶胶-活性炭作为反应物,在不加入任何金属催化剂的情况下,利用微波加热碳热还原法合成碳化硅晶须,研究反应温度和时间及坩埚部位对产物的影响。结果表明:30 min时,温度由1300℃升高到1600℃,产物中物相β-SiC越来越多;1500℃条件下,合成产物在坩埚的上部和中部主要分别为分散的SiC晶须和团聚在一起的SiC晶须;坩埚底部的产物主要为表面光滑的SiO2颗粒。1600℃条件下,合成产物在坩埚的上部和中部主要分别为分散的SiC晶须和等轴状β-SiC颗粒,底部为晶须和颗粒的混合物。1500℃×30 min得到的SiC晶须产率和直晶率优于1600℃×30 min得到的SiC晶须产率和直晶率。
关键词：微波烧结;温度;碳化硅;晶须;
