V₂O₅掺杂对低温烧结宽温NiCuZn铁氧体显微结构及性能的影响

来源期刊：磁性材料及器件2017年第1期

论文作者：刘兴 何超 陈轲

文章页码：41 - 45

关键词：NiCuZn铁氧体;低温烧结;V2O5掺杂;微观结构;磁导率;

摘    要：采用氧化物陶瓷工艺制备低温共烧铁氧体（LTCF）多层片式器件用NiCuZn铁氧体材料,研究了V₂O₅掺杂对材料微观结构、磁导率及其温度特性的影响。结果表明,随V₂O₅掺杂量的增加,样品平均晶粒尺寸增大,材料烧结温度降低,磁导率先增大后降低;宽温NiCuZn铁氧体配方采用0.4wt%的V₂O₅掺杂,可使材料实现低温烧成（烧结温度900℃左右）,并具有高磁导率（500左右）、致密的细晶粒显微结构,从而获得满足LTCF多层片式铁氧体器件高、低温应用环境（-55⁺85℃）下磁性能要求的低温烧结NiCuZn铁氧体宽温材料。