阿奇霉素在多壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为及其测定
来源期刊:分析试验室2012年第9期
论文作者:习霞 明亮
文章页码:89 - 92
关键词:阿奇霉素;伏安测定;碳纳米管;化学修饰电极;
摘 要:运用循环伏安法与线性扫描伏安法研究了阿奇霉素在多壁碳纳米管修饰玻碳电极上的电化学行为,建立了一种直接测定阿奇霉素的电化学分析方法。结果表明,与裸玻碳电极相比,多壁碳纳米管修饰电极能显著提高阿奇霉素的氧化峰电流,阿奇霉素的电极过程完全不可逆,存在典型的吸附特性。在优化的实验条件下,氧化峰电流与阿奇霉素浓度在3.0×10-7~2.5×10-5 mol/L和2.5×10-5~5.0×10-4 mol/L范围内呈现良好的线性关系,检出限为1.0×10-7 mol/L。
习霞,明亮
南通大学化学化工学院
摘 要:运用循环伏安法与线性扫描伏安法研究了阿奇霉素在多壁碳纳米管修饰玻碳电极上的电化学行为,建立了一种直接测定阿奇霉素的电化学分析方法。结果表明,与裸玻碳电极相比,多壁碳纳米管修饰电极能显著提高阿奇霉素的氧化峰电流,阿奇霉素的电极过程完全不可逆,存在典型的吸附特性。在优化的实验条件下,氧化峰电流与阿奇霉素浓度在3.0×10-7~2.5×10-5 mol/L和2.5×10-5~5.0×10-4 mol/L范围内呈现良好的线性关系,检出限为1.0×10-7 mol/L。
关键词:阿奇霉素;伏安测定;碳纳米管;化学修饰电极;