简介概要

硅基低维红外探测薄膜材料的研究概况

来源期刊:材料导报2009年第7期

论文作者:王茺 杨宇

关键词:硅; 量子阱; 量子点;

摘    要:Si基探测器与硅读出电路的单片集成不仅使光电芯片在性能上得到重要改善,还可极大地降低成本.在对量子阱、量子点原理描述的基础上,综述了它们应用于薄膜红外探测材料的研究进展,提出了近期工作的重点.

详情信息展示

硅基低维红外探测薄膜材料的研究概况

王茺1,杨宇1

(1.云南大学光电信息材料研究所,昆明,650091)

摘要:Si基探测器与硅读出电路的单片集成不仅使光电芯片在性能上得到重要改善,还可极大地降低成本.在对量子阱、量子点原理描述的基础上,综述了它们应用于薄膜红外探测材料的研究进展,提出了近期工作的重点.

关键词:硅; 量子阱; 量子点;

【全文内容正在添加中】

<上一页 1 下一页 >

相关论文

  • 暂无!

相关知识点

  • 暂无!

有色金属在线官网  |   会议  |   在线投稿  |   购买纸书  |   科技图书馆

中南大学出版社 技术支持 版权声明   电话:0731-88830515 88830516   传真:0731-88710482   Email:administrator@cnnmol.com

互联网出版许可证:(署)网出证(京)字第342号   京ICP备17050991号-6      京公网安备11010802042557号