MOVPE生长CdTe/GaAs薄膜的表面形貌控制
来源期刊：稀有金属1999年第1期
论文作者：王静宇 杨玉林 宋炳文 刘朝旺
关键词：MOVPE; CdTe薄膜; 表面形貌;
摘 要：通过优化GaAs表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、GaAs表面预处理工艺、生长条件及优选GaAs衬底方向等措施,在水平与常压MOVPE装置中,用二乙基锌(DEZn)、二甲基镉(DMCd)、二异丙基碲(DiPTe) 和元素汞,采用互扩散多层工艺(IMP),在GaAs衬底上生长出了MCT/CdTe/GaAs,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进.
王静宇1，杨玉林1，宋炳文1，刘朝旺1
(1.昆明物理研究所三室,昆明,650223)
摘要:通过优化GaAs表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、GaAs表面预处理工艺、生长条件及优选GaAs衬底方向等措施,在水平与常压MOVPE装置中,用二乙基锌(DEZn)、二甲基镉(DMCd)、二异丙基碲(DiPTe) 和元素汞,采用互扩散多层工艺(IMP),在GaAs衬底上生长出了MCT/CdTe/GaAs,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进.
关键词:MOVPE; CdTe薄膜; 表面形貌;
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