氧分压对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响
来源期刊：无机材料学报2007年第6期
论文作者：朱丽萍 张银珠 马全宝 赵炳辉 叶志镇 何海平
关键词：ZnO:Ga; 透明导电氧化物薄膜; 磁控溅射; 氧分压; 光电特性;
摘 要：通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ga透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10-4Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.
朱丽萍1，张银珠1，马全宝1，赵炳辉1，叶志镇1，何海平1
(1.浙江大学,材料系硅材料国家重点实验室,杭州,310027)
摘要:通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ga透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10-4Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.
关键词:ZnO:Ga; 透明导电氧化物薄膜; 磁控溅射; 氧分压; 光电特性;
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