偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究
来源期刊：无机材料学报2000年第5期
论文作者：李承恩 水嘉鹏 朱震刚 刘卫 贺连星 陈廷国
关键词：内耗; 偏铌酸铅陶瓷; 畴壁; 氧空位; internal friction; lead metaniobate ceramics; domain walls; oxygen vacancy;
摘 要：用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅?铁电陶瓷的内耗进行了研究. 在新加工的样品中发现了六个内耗峰，分别位于70C(P1峰)、90C(P2峰)、200C(P3峰)、260C(P4峰)、430C(P5峰)和510C(P6峰)处. 对引起P3、P1、P2和P4峰的物理机制进行了详细探讨. 分析结果表明，P3峰的本质是一宽化的Debye弛豫内耗峰，相应的激活能和指前因子分别为1.01eV和2.410-14s. ?它源于氧空位与畴壁的相互作用. P1、P2和P4峰与试样的切割加工密切相关，可归结为点缺陷与位错的交互作用.
李承恩1，水嘉鹏2，朱震刚2，刘卫2，贺连星1，陈廷国3
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所，上海 200050;
2.中国科学院内耗与固体缺陷开放实验室，合肥 230031;
3.中国科学院上海冶金所，上?海 200050)
摘要:用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅?铁电陶瓷的内耗进行了研究. 在新加工的样品中发现了六个内耗峰，分别位于70C(P1峰)、90C(P2峰)、200C(P3峰)、260C(P4峰)、430C(P5峰)和510C(P6峰)处. 对引起P3、P1、P2和P4峰的物理机制进行了详细探讨. 分析结果表明，P3峰的本质是一宽化的Debye弛豫内耗峰，相应的激活能和指前因子分别为1.01eV和2.410-14s. ?它源于氧空位与畴壁的相互作用. P1、P2和P4峰与试样的切割加工密切相关，可归结为点缺陷与位错的交互作用.
关键词:内耗; 偏铌酸铅陶瓷; 畴壁; 氧空位; internal friction; lead metaniobate ceramics; domain walls; oxygen vacancy;
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